- 深圳市勤思达科技有限公司
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
- 271
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- 名称：IXFN55N50
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:IXFN55N50类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：55（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：55（A）反向重复峰值电压：500（V） 额定正向平均电压：500（V）封装：可控硅工作温度：-40
- 更新：2014-04-01 20:41:26
- 272
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- 名称：IXGN200N60A
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:IXGN200N60A类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：200（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：200（A）反向重复峰值电压：600（V） 额定正向平均电压：600（V）封装：可控硅工作温度
- 更新：2014-04-01 20:40:32
- 273
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- 名称：IXFN36N60
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:IXFN36N60类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：36（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：36（A）反向重复峰值电压：600（V） 额定正向平均电压：600（V）封装：可控硅工作温度：-40
- 更新：2014-04-01 20:39:40
- 274
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- 名称：IXFN48N45
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:IXFN48N45类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：48（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：48（A）反向重复峰值电压：450（V） 额定正向平均电压：450（V）封装：可控硅工作温度：-40
- 更新：2014-04-01 20:38:47
- 275
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- 名称：IXSN50N60UI
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:IXSN50N60UI类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：50（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：50（A）反向重复峰值电压：600（V） 额定正向平均电压：600（V）封装：可控硅工作温度：-
- 更新：2014-04-01 20:37:45
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- 名称：DSEI2*55-12A
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:DSEI2*55-12A类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：55（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：55（A）反向重复峰值电压：1200（V） 额定正向平均电压：1200（V）封装：可控硅工作温
- 更新：2014-03-27 22:17:53
- 277
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- 名称：DSEI2X31-12B
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:DSEI2X31-12B类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：31（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：31（A）反向重复峰值电压：1200（V） 额定正向平均电压：1200（V）封装：可控硅工作温
- 更新：2014-03-27 22:17:13
- 278
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- 名称：DSEI2x61-12A
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:DSEI2x61-12A类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：61（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：61（A）反向重复峰值电压：1200（V） 额定正向平均电压：1200（V）封装：可控硅工作温
- 更新：2014-03-27 22:16:29
- 279
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- 名称：DSEI2X61-12B
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:DSEI2X61-12B类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：61（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：61（A）反向重复峰值电压：1200（V） 额定正向平均电压：1200（V）封装：可控硅工作温
- 更新：2014-03-27 22:15:47
- 280
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- 名称：MUBW30-12A6K
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：型号:MUBW30-12A6K类型：可控硅品牌：IXYS/艾赛斯控制方式：单向极数：多级封装材料：塑料封装封装外形：平底形关断速度：高频(快速)散热功能：不带散热片频率特性：高频功率特性：大功率额定正向平均电流：30（A） 控制极触发电流：1（mA） 最大稳定工作电流：30（A）反向重复峰值电压：1200（V） 额定正向平均电压：1200（V）封装：可控硅工作温
- 更新：2014-03-27 22:10:36
